晶体振荡器振荡频率随温度变化而变化

温度对他还是有影响的，半导体材料对温度相当敏感。温度补偿晶体振荡器是因为晶体振荡器的振荡频率会随着温度的变化而变化，为了抵消温度对晶体振荡器频率的影响，控制晶体振荡器的谐振电容随温度的变化而变化，以抵消温度晶体的影响，提高频率稳定性，焊接温度对晶体的平稳运行也有很大影响，如果焊接温度高于300度，会对晶体造成二次损伤，所以焊接温度一定要控制在250度左右。

粘贴不正常的原因可能是工作有问题。也可能是各种原因造成的。如果线路没有问题，一般是晶振本身的问题。你可以试试另一个晶体振荡器。供参考。焊接温度对晶体的平稳运行也有很大影响。如果焊接温度高于300度，会对晶体造成二次损伤，所以焊接温度一定要控制在250度左右。晶振工作不正常的原因是电器被剧烈震动损坏，导致电路不工作或工作不正常。

它是指按照一定的方位角从应时晶体上切割出一个薄片(晶片)。石英晶体谐振器也称为应时晶体或晶体和晶体振荡器。通过在封装内添加I C构成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳包装，也有玻璃外壳、陶瓷或塑料的。晶体振荡器主要用于定时电路。当受到机械外力摇动时，就会损坏失效，所以要更换相同参数的新晶振。

晶体振荡器的振荡频率和温度特性异常的原因有很多，包括驱动功率高、晶体谐振器的特性异常、振荡电路元件温度特性的影响等。如果驱动功率超过晶体谐振器规格中指定的值，则可以确定振荡频率的异常温度特性。为了避免激动人心的跳跃，需要降低驱动功率。驱动功率过大可以通过增加阻尼电阻和减少外接负载电容来解决。当外部负载电容减小时，振荡电路的阻抗会增大，实际驱动功率也会减小。

军用级振荡器SIT8918能达到的温度是40~ 125℃。民用温度20~ 70℃，工业温度40~ 85℃。详情请咨询阳行科技。爱普生晶体振荡器全国代理(证号16006)为您解答:贴片晶体振荡器的工作温度与其工作频率没有对应关系，与其制造工艺有关。同一产品系列可能提供不同工作温度的型号。比如SG210STF系列有源晶体振荡器，可以提供40 ~ 85℃、40 ~ 105℃、40 ~ 125℃三个工作温度范围的产品。

是12MHz还是24MHz晶振？这是用于USB通信的。不告诉你。晶振是用来提供振荡参考频率的吗？温度对他还是有影响的，半导体材料对温度相当敏感。数码产品一般工作温度在035摄氏度左右。有点热充其量是散热不好，稳定性差一点。温度太低就不好了，尤其是冷凝后会腐蚀主板。

温度补偿晶体振荡器是因为晶体振荡器的振荡频率会随着温度的变化而变化。为了抵消温度对晶体振荡器频率的影响，控制晶体振荡器的谐振电容随温度的变化而变化，以抵消温度晶体的影响，提高频率稳定性。飞秒晶体振荡器是指石英晶体谐振器，在皮秒的时间内，从应时晶体上以一定的方位角切割出薄片。采用飞秒晶体振荡器的音乐播放器在音乐细节方面表现非常出色，可以无损播放音乐的所有声音。

温度补偿晶体振荡器，tcxo，普通振荡器内置温度曲线补偿电路，频率稳定度可以是/0.5ppm，普通振荡器也可以是/2ppm。电流消耗一般小于几十毫安。是最常见的高精产品。在通信终端中很常见。恒温晶体振荡器，ocxo，振荡电路和恒温电路环绕特制晶体，频率稳定度可达/0.01ppm .电流消耗一般为300ma~2a。主要用于卫星、通信基站等。

通过温度补偿的方式减少频率失真，因为振荡器工作时，会因为电阻(晶体管或集成电路有内阻)而出现温升，温升会对半导体产生很大的影响，使半导体的工作点漂移，导致振荡频率的变化。这些变化对用户的影响很大，如无线电通信、要求高频率稳定度的本地时钟(单片机或计算机)。因此，开发人员生产了具有温度补偿性能的有源振荡器。这些带温度补偿的晶体振荡器频率变化很小，可以长时间稳定工作，提供高稳定度的频率参考。

温度补偿晶体振荡器的定义是通过外围电路反向改变压电应时晶体的原始物理特性(压电效应下频率随温度呈三次曲线变化)，使应时晶体的原始频率随温度变化尽可能小的一种补偿方法。一般来说，应时晶体的频率与温度有关，我们使用的晶体振荡器一般在25度时达到最大精度。温度升高，频率增加；随着温度降低，频率降低。通常情况下，如果用于定时，需要较高的精度，就需要进行温度补偿。

因为半导体是靠电子和空穴的运动来导电的。未掺杂的半导体称为本征半导体。一般来说，导电性远小于掺杂半导体，所以一般使用掺杂半导体。掺杂杂质电离的电子和空穴增强了半导体的导电性，其电离速率与温度密切相关，因此温度会影响半导体材料的电阻率。对于掺杂半导体:在非常低的温度下，忽略本征激发，载流子主要由杂质电离提供，随温度升高而增加；

半导体器件对温度最敏感。在高温条件下，晶体管的HFE随温度升高而增大，导致工作点漂移，增益不稳定，导致电子仪器性能不稳定，漂移失效，随着温度的升高，晶体管Icbo和Iceo的反向电流将增加，这也将增加Ic电流。Ic的增加导致晶体Icbo、Iceo、Ic电流的增加，形成恶性循环，直至晶体管烧坏，造成仪器严重失效；当晶体管工作在低温时，hFE会随着温度的降低而降低。