关于saber仿igbt的通用模型

我想在电路中使用mosfet或igbt作为可变电阻。IGBT的破坏机制是什么？什么是死区？Staticthermal这是一个描述igbt关闭时IGBT、非线性电极间电容和拖尾电流的行为特征的模型，4.数据表驱动，请用saber模仿IGBT模型中遇到的问题，军刀下的IGBT一般模式主要有以下几种:1 .IGBT。

【简介】:通常称为deadtime，常用于电源开关控制信号翻转时避免误触发。许多电源管理芯片将通过检测反馈电流或反馈电压来控制一个或多个外部电源设备，如MOSFET或IGBT。这些反馈电流或电压信号往往受到功率器件开关时产生的噪声的影响，导致导线寄生电感和芯片寄生电容引起的一些尖峰叠加。这些尖峰会导致芯片内部的错误触发和输出错误的控制信号。

【设计方法】:死区主要针对IGBT开关管。理想情况下，逆变器单臂的IGBT总是互补地开启和关闭。然而，由于IGBT关断过程中的拖尾效应，关断时间相对长于导通时间。如果同一桥臂上的IGBT在关断过程中立即导通，必然导致直流母线电压通过，损坏IGBT。

mosfet的导通电阻可以达到几个mohm，但是mosfet没有IGBT那么高，这要看你的应用了。在栅极电荷方面，MOSFET具有优势，对于相同的栅极驱动力，它具有更快的导通速度。如果IGBT是双极的，在关断过程中会出现拖尾现象。如果用在线性区，还是推荐MOSFET，但是要注意SOA。

Holding效应，IGBT中有一个由一个NPN晶体管和一个P NP晶体管组成的寄生晶闸管作为主开关器件。其中，NPN晶体管的基极和发射极之间有一个体短路电阻，P体区的横向空穴电流会在这个电阻上产生一个压降，相当于给JBOY3乐队结施加了一个正向偏置。在额定集电极电流范围内，这种偏置太小，不足以接通JBOY3乐队。然而，一旦JBOY3乐队开启，栅极将失去对集电极电流的控制，导致集电极电流增加，并因功耗过大而损坏器件。

IGBT under 4、请教用saber仿igbt模型中遇到的问题

Saber的一般型号如下:1 .IGBT，诺布弗莱尔和凌日。该模型来自美国国家标准与技术研究所(NIST)，以其主要研究人员A.R.Hefner的名字命名，能够准确反映IGBT的电流、电压和充电特性。2.Igbtdatasheetdriven，Transitor。

它能反映IGBT的静态特性、非线性极间电容和IGBT关断时的尾电流。3.IgbtDatasheetdriven，静态热这是一个表征IGBT行为特性的模型，它所需要的参数基本上可以从器件的数据表中得到，可以反映IGBT的静态热特性，沟道调制效应，非线性极间电容以及IGBT关断时的尾电流。4.数据表驱动，

IGBT是一种绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件。它具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。

IGBT分为七类:1。小功率IGBT的应用范围一般在600V、1KA、1KHz以上，为满足家电行业的发展需求，低功耗IGBT产品被引入并应用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁炉、电子镇流器、相机等产品。2.UIGBTU(沟槽结构)IGBT是管芯上的沟槽，并且在芯片单元内部形成沟槽栅极，采用这种沟道结构后，可以进一步减小电池尺寸，降低沟道电阻，提高电流密度，可以制造出相同额定电流和最小芯片尺寸的产品。