电平信号如何控制场效应管? MOS管的工作

mos管导通时，无论源极电位是多少，N沟道MOS管(通常源极接地)只要栅源电压Vgs>Vth(通常0.7V左右)，就可以在栅极下方的P衬底上形成N沟道，将源极和漏极连接在一起，形成导电沟道；此时只要在漏极施加电压，就可以形成电流，电流同时受Vgs和Vds控制；当vgd = Vgs-VDS < vth时，沟道在漏极被夹断，电子管进入饱和区。此时电流只受vgs控制(忽略沟道长度调制效应)；如何控制电路中FET的电流FET是压控器件，你可以通过控制G引脚的电平来控制电流。

你的理解是错误的。以增强型NMOS为例。只要Vgs大于阈值电压(阈值电压一般为24V)，ds就导通，电流是双向的。电流从ds或SD接通。一旦Vgs小于阈值电压，MOS就关断，ds就不会有电流了，不管是来自DS还是SD，但是大部分增强型NMOS DS内部都有一个寄生二极管。s是阳极，D是阴极，所以即使MOS关断，由于寄生二极管的存在，仍有来自SD的电流，但没有来自DS的电流。

N沟道MOS晶体管(一般为接地源极)，只要栅源电压Vgs>Vth(一般为0.7V左右)，就可以在栅极下方的P衬底上形成N沟道，将源极和漏极连接在一起，形成导电沟道；此时只要在漏极施加电压，就可以形成电流，电流同时受Vgs和Vds控制；当vgd = Vgs-VDS < vth时，沟道在漏极被夹断，电子管进入饱和区。此时电流只受vgs控制(忽略沟道长度调制效应)；

FET是一种电压控制器件。您可以通过控制G引脚的电平来控制电流。以NPN为例，G引脚电平低时DS间导通电阻最大，G引脚电平达到开路条件时DS间导通电阻为毫欧级。这个很简单，但是用过MOS晶体管的人远远少于三极管。MOS晶体管是电压控制器件，即需要电压控制G引脚来控制晶体管电流。一般来说，市场上最常见的是增强型N-通信MOS晶体管。你可以用一个电压来控制G的电压。MOS晶体管的导通电压一般为24V，但要完全控制，这个值要升到10V左右。

基本方法:用一个控制电压(比较器的同相输入端)和一个参考电压(比较器的反相输入端)同时进入电压比较器(比较器电源接正12V和地，如LM358作为比较器)，比较器的输出用一个5.1K的电阻上拉后接G管脚。如果控制电压高于参考电压，则控制MOS晶体管传导输出电流。参考电压可以来自采样电阻，即NMOS的S极接一个大功率小电阻后接地。这个电阻对电流进行采样，当电流流过电阻时会形成电压，放大后作为参考。

MOS晶体管是一种金属氧化物场效应晶体管。在推高电平的情况下，通过控制电压来改变晶体管的导通性，导通条件是Vgs大于MOS晶体管的阈值电压，当Vgs小于阈值电压时，MOS晶体管不导通。当使能端处于低电平时，可以通过将MOS晶体管的栅极接地或驱动栅极处于低电平来关断MOS晶体管，从而可以实现对MOS晶体管的控制，当在其栅极(G)端施加高电平并且源极(S)和漏极(D)之间的电势差超过临界电压时，MOS管导通。