耗尽型mos管应用电路 耗尽型mos管原理

mos管是干什么用的？P沟道耗尽型mos晶体管是如何工作的？至于为什么不用耗尽型MOS管，不建议追根究底。mos管的原理是什么？请教一下mos管的原理，一般来说，有两种类型的MOS管:耗尽型和增强型，为什么耗尽型MOS管的漏源电压可以是正或负或零？因为耗尽型MOS管和增强型MOS管的区别在于衬底的栅极附近有一个原始的导电沟道。

能不能把行驶波形一起上传？以下是我前几天测试的。电路和你的一样。参数为R21 = 2K，R22=10k，取消R28，三极管分别为8050和8550，MOS管为IRF840，示波器上1KHz方波驱动。(图中:青色为PWM端，红色为MOS管的G极，蓝色为MOS管的D极(用灯泡做负载时)。感觉Q3开启太慢，延迟达到3-4 us。

Video Mos晶体管工作原理zhi Hu(zhihu.com)第一张图概括了作用:Mos晶体管增强型和耗尽增强型场效应晶体管。所谓增强，就是施加VGS0时，晶体管处于截止状态，加上正确的VGS后，大部分载流子被吸引到栅极，从而“增强”了这个区域的载流子，形成导电沟道。当在栅极上施加电压时，如果0 < vgs < vgs (th)，则栅极附近的P型半导体中的多空穴会被栅极和衬底之间形成的电容电场向下排斥，出现负离子的薄耗尽层。同时，少数载流子会被吸引到表层，但数量有限，不足以形成导电沟道，沟通漏极和源极，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

这个很简单。关键在于MOS管的结构和工作原理。你的缺点是不太了解MOS晶体管的工作原理。n沟道晶体管，衬底是B，而且是P型半导体，B接源极s，当GS为正电压时，G带正电，会把衬底中的电子吸引到G的对面(不会达到G，因为衬底和G之间有绝缘栅，这就是MOS管名字的由来)， 从而增厚反型层(增强反型层和耗尽型的区别在于，增强反型层只会在UGS > UGS (th)时产生，而耗尽型，UGS0。

1。结型和绝缘栅型有什么区别？在结型场效应晶体管中，栅极和沟道之间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但是PN结反向时总会有一些反向电流，限制了输入电阻的进一步提高。如果在栅极和沟道之间分离绝缘层，则制成绝缘栅场效应晶体管，并且可以提高其输入电阻。2.增强和耗尽的区别是什么？结型场效应晶体管，绝缘栅场效应晶体管有N沟道和P沟道两种，简称MOS场效应晶体管(MOSFET)。

因为耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的区别在于原来的导电沟道存在于衬底的栅极附近。这样，当源极删除电压为0时，晶体管也可以导通，当源极删除电压正向增加时，漏极电流成正比增加，当源极删除电压负向增加时，漏极电流成正比减少，直到电压夹断时，晶体管完全关断。其实这个问题应该这样回答:增强型MOS管也可以这样！问题的本质是增强型MOS晶体管的栅源电压也可以为零或者为负，但这些条件和栅源电压达到导通电压之前完全一样:关断。

然而，增强型MOS晶体管的活动范围在海平面以上。如果要抓，不仅要在海平面以下，还要在海平面以上(是鸟，不是鱼)。只有达到高度(导通电压)才会工作(导通)。所以问题的关键不是正负电压或零，而是元件工作的“什么”条件。不知道大家能不能理解，参考点(也就是地，或者0V)是完全任意的！那只是海平面。

有两种类型的6、面试问mos管原理

MOS晶体管:耗尽型和增强型。以增强型MOS为例。Mos晶体管由漏极、源极和栅极组成，又分为N沟道和P沟道mos晶体管。首先，我们将漏极连接到电源的正极，将源极连接到电源的负极。对于mos管来说，在栅极无电压的情况下，源漏之间有两个背靠背的二极管，不会有电流通过，所以此时mos管处于截止状态。当向栅极施加电压时，当电压小于阈值VGS(th)时，由于栅极和衬底P之间的电场，P型半导体的源极和漏极上的负电子将被吸引到栅极，由于氧化膜的阻挡，电子将聚集在两个N沟道之间的半导体中。

当VGS(th)超过阈值时，N型半导体将在源极和漏极之间形成电子沟道。在此期间，由于漏极上加了正电压，会形成从漏极到源极的电流。MOS晶体管也可以把两个N型半导体之间的沟槽想象成一条河流，栅极电压的建立相当于在两者之间搭建了一座桥梁，其大小取决于栅极电压。所以MOS晶体管是控制电压的晶体管。把MOS管想象成一个阀门，它的闸门就像一个开关，控制水能否通过。

首先，你的MOS晶体管耗尽了。所以当你的VGS电压为0V时，电子管就打开了。一楼不对，不要像他一样。这个原理是:做管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS为负电压，即VGS小于0V时，电子管逐渐从导通状态断开。至于什么时候切断，那要看你的VGS电压了。例如，当使用VGS5V时，晶体管关闭(具体参数参见您正在使用的MOS晶体管数据手册)。

三极管和MOS晶体管在功能上有很多相似之处，但这两个元件有什么区别呢？用一个电路告诉你。MOS，MOSFET的全称是金属氧化物薄膜绝缘栅场效应管，有栅极、源极和漏极。通过向栅极施加电压以产生电场来控制S/D之间的沟道电子或空穴密度(或沟道宽度),可以改变S/D之间的阻抗..这是一个简单易用的压控功率晶体管。它具有开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小、热稳定性好、无二次击穿问题、工作区域宽、工作线性度高等特点。它最重要的优点是可以减小体积和重量，为设计者提供一种高速、大功率、高电压和高增益的器件。

工作原理:MOS晶体管通过施加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS晶体管是压控器件，通过施加在栅极的电压来控制器件的特性，不会出现三极管作为开关时基极电流引起的电荷存储效应，所以在开关应用中MOS晶体管的开关速度要比三极管快。其主要原理如图所示:功能:由于MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。

MOSFET晶体管是FET的一种(另一种是JFET)，可以做成增强型或者耗尽型，有P沟道或者N沟道四种，但理论应用只需要增强型N沟道MOS晶体管和增强型P沟道MOS晶体管，所以通常指的是NMOS或者PMOS这两种。至于为什么不用耗尽型MOS管，不建议追根究底。关于这两种增强型MOS晶体管，通常使用NMOS。原因是导通电阻小，容易制造。

在下面的介绍中，NMOS也是主要的一个。MOS管的三个管脚之间存在寄生电容，这不是我们需要的，而是制造工艺的限制造成的，寄生电容的存在使得驱动电路的设计或选择变得更加容易，但是没有办法避免，后面会详细介绍。从MOS管的原理图可以看出，漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个二极管被称为体二极管，它驱动一个合理的负载。这个二极管非常重要，对了，体二极管只存在于单个MOS管中，集成电路芯片内部通常是找不到的。