为什么mos管驱动电阻大导通时间延长

电磁炉的原理是脉宽调制技术，也就是PWM。功率管由不同宽度的脉冲控制，脉宽宽，功率管导通时间长，功率大，脉宽窄，功率管导通时间短，功率小，mos晶体管驱动电阻的大导通时间延长的原因有以下几点:1 .RC时间常数:在驱动电路中，驱动电阻和驱动电容之间形成一个RC并联网络。

通过调节高频开关电路的脉冲宽度，改变输出电压来调节电磁炉的火力。最低档是低功率绝缘档。温控装置通过检测锅底的温度来控制加热电路的开启和关闭。高频电路的频繁开合确实对元器件有一定的影响，但对低压小电流绝缘档位影响不大。电磁炉的原理是脉宽调制技术，也就是PWM。功率管由不同宽度的脉冲控制。脉宽宽，功率管导通时间长，功率大。脉宽窄，功率管导通时间短，功率小。

三极管的导通条件是:发射极结加直流电压，集电极结加反向电压。发射极结加直流电压就是基极和发射极之间的电压Ube，按照箭头方向就是PN结的电压，也就是硅管加0.7V；锗管加0.2V v .给集电极结加反向电压就是给集电极结的PN结加反向电压ube，吸引基区的电荷。这个电压比较高，手机里一般1~3.6V。PNP晶体管的导通电压为UE > UB > UC

扩展资料:判断晶体管的类型:晶体管只有两种，PNP型和NPN型。只需要知道基极是P型材料还是N型材料。多用表在R×1k档使用时，黑色的唱针代表电源的正极。如果黑色手写笔接在基极上，说明三极管的基极是P型材料，三极管是NPN型。如果红色手写笔接在基极上，说明三极管的基极是N型材料，三极管是PNP型。

电磁炉的功率管25N120和20R1203虽然属于大功率场效应管，但在极限电流和饱和压降上是不同的。具体如下:1。25N120各参数值的极限电压:1200V极限电流:25A饱和压降:2.5V2，20R1203各参数值的极限电压:1200V极限电流:20A饱和压降:1.48V理论上，两种电源管理可以相互替换，但实际应用中，20R1203被25N120替换时，经常出现电磁炉发热慢的情况。

测量功率管好坏的方法:可以用万用表通过测量极间电阻来判断好坏。要测量电极间电阻，将万用表放在R100或R1K，测量发射极和集电极的正向电阻。如果发现测得的发射极和集电极正向电阻很大或者反向电阻很小，说明功率管坏了；如果测得发射极结和集电极结的正向电阻值很低，则电子管是好的。功率开关管是指能承受大电流，漏电流小，在一定条件下具有良好的饱和导通和关断特性的三极管，不考虑其放大性能。它的控制极与基极电流的大小或方向有关，方向取决于是NPN还是PNP管。

mos晶体管驱动电阻导通时间大的原因有以下几点:1 .RC时间常数:在驱动电路中，驱动电阻和驱动电容之间形成一个RC并联网络。较大的驱动电阻会增加RC时间常数，导致电荷注入或电荷提取的速度变慢，从而延长MOS晶体管的导通时间，2.驱动电流限制:驱动电阻的大小也会影响驱动电流的大小。驱动电阻越大，驱动电流越小，MOS管中的电荷注入速度越慢，导通时间越长。