memory colock memory_lock

戴尔第11代服务器有三种内存模式，即MemoryOptimizedMode、AdvancedECCMode模式和MirrorMode。MemoryOptimizedMode:优化器模式下DDR3的内存控制器都在CPU上，每个CPU有三个独立的MemoryControllerHub(MCH)，戴尔第11代服务器有三种内存模式，即MemoryOptimizedMode、AdvancedECCMode模式和MirrorMode，这三种有什么区别？MemoryOptimizedMode:优化器模式下DDR3的内存控制器都在CPU上，每个CPU有三个独立的MemoryControllerHub(MCH)，在这种模式下，MCHs独立工作，一个可以读，一个可以写，一个可以空闲。

这意味着一些非常规的内存连接可以正常工作。比如3G，6G，12G。AdvancedECCMode:在这种模式下，两个MCH捆绑在一起成为128位总线，另一个MCH不能使用。如果打开此模式，并且内存连接到剩余的MCH，机器将报告错误。MirrorMode:在这种模式下，系统应用三个通道中的两个，每个通道写入相同的数据，并在读取时轮询。

联想IBMThinkPad笔记本BIOS设置手册I. Config基本设置选项1。网络(1)唤醒局域网当以太网控制器接收到远程唤醒包时，系统被打开。注意:如果设置了硬盘密码，唤醒功能将不起作用。(建议关机)1。RAM(RandomAccessMemory)RAM的特点是当计算机开机时，操作系统和应用程序的所有运行数据和程序都会放在里面，并且可以随时修改和访问其中存储的数据。它的工作需要持续的电力提供。一旦系统断电，存储在其中的所有数据和程序将自动清空，并且永远无法恢复。根据组成部件的不同，RAM存储器可以分为以下十八种类型:01。DRAM(动态随机存取存储器):这是最常见的RAM。电子管和电容器形成一个位存储单元。DRAM将每个存储器位存储为位存储单元中的电荷，通过对电容器充电和放电来存储该电荷。但由于电容本身的漏电问题，必须每隔几微秒刷新一次，否则数据会丢失。

单列DIMM有一组在内存中写入或读取数据时将被访问的内存芯片。双列DIMM相当于同一模块中的两个单列DIMM，但一次只能访问一列。四列DIMM相当于在同一个模块中有两个两列DIMM，但一次只能访问一列。当在DIMM中写入或读取数据时，服务器内存控制子系统将在DIMM中选择正确的列。双列和四列DIMM为现有内存技术提供了最大的容量。

如果安装了有效的内存配置，将显示内存运行类型。当设置为Optimizermode时，内存控制器相互独立运行，以提高内存性能。当设置为Mirrormode时，将启用内存镜像。当设置为AdvancedECCMode时，两个控制器将组合成128位模式，以运行多位高级ECC。Sparemode选项仅出现在采用英特尔至强5600系列处理器的系统上。

内存分为RAM和ROM。存储在只读存储器中的数据理论上是永久的。即使电脑关机后，存储在ROM中的数据也不会丢失。RAM只能读不能写，就是用记忆棒来存储计算机临时调用的数据，可以读写。比如你安装软件，他不是马上安装，而是先把文件保存在RAM里再安装。起到了缓冲的作用，提高了电脑的运行速度。内存的主要功能是暂时存储数据。内存越大，计算机运行越快。

如果虚拟内存小，就不能同时打开太多软件或文件。一般建议虚拟内存设置为物理内存的1.5倍或以上；虚拟内存最好设置在另一个硬盘分区；由于操作系统在日常操作中会在系统盘上生成很多临时文件，并且默认开启了系统恢复的备份功能，所以每个用户的“我的文档”都在系统盘下。所以很容易耗尽系统盘上的空间。管理好这一切。

试想一下，如果你打开多个进程(比如office软件，photoshop等很多软件，但此时你还挂在网上，网游还在玩)，真正可用的物理内存是不够的。此时，操作系统将挂起一些进程，并将它们从物理内存移动到虚拟内存。当你突然想起来再次打开一个进程时，操作系统会把它从虚拟内存移到物理内存，让你像什么都没发生一样继续编辑。

Memory Timing内存时序是描述内存条性能的参数，一般存储在内存条的SPD中。一般数字“ABCD”对应的参数为“CLtRCDtRPtRAS”，其含义依次为:CASLatency(简称CL值)，是内存的重要参数之一，有些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值；Ras-to-cas delay (TRCD)，存储器行地址传输到列地址的延迟时间；RASPrechargeDelay(tRP)，存储行地址选通cas延迟；rowactidelay(tRAS)，存储线地址门控延迟。