ig和电力mosfet的相似与不同之处

内部结构的不同:IGBT内部结构有注入P区。试分析IGBT和功率MOSFET在内部结构和开关特性上的异同...a:内部结构的相似性:IGBT内部结构包括MOSFET内部结构，什么是igbt？这是一个开关，不是开就是关，如何控制其导通或截止取决于栅极和源极的电压，当栅极和源极加12v(大于6v，一般取12v ~ 15v)时，igbt导通，当栅极和源极不加电压或负压时，igbt关断。增加负压是为了可靠地关闭。

你对IGBT了解多少？IGBT(绝缘IGBT)，绝缘栅双极晶体管，是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高和GTR导通压降低的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。结构IGBT结构图左侧为N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，其中N区称为源区，附着其上的电极称为源极。p区被称为漏区。器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近。漏极和源极(形成沟道的地方)之间的P型区域(包括P和P区域)被称为子区域。

A:内部结构的相似性:IGBT的内部结构包括MOSFET的内部结构。内部结构不同:IGBT内部结构有注入P区，而MOSFET内部结构没有注入P区。开关特性的相似性:IGBT开关大部分时间是由MOSFET操作的，特性相似。GBT的背面比功率MOSFET多一层P层，IGBT的开关速度低，开关损耗小，所以有承受脉冲电流冲击的能力。通态压降低，输入阻抗高，采用电压驱动，驱动功率低。

功率MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小，驱动电路简单且工作频率高，不存在二次击穿问题。IGBT驱动电路的特点是:驱动电路输出电阻小，IGBT是电压驱动器件，IGBT由专用混合集成驱动器驱动。功率MOSFET驱动电路的特点:驱动电路要求输入电阻小，驱动功率小，电路简单。

IGBT绝缘栅双极晶体管；【示例】本文介绍了threaphasehigh高频增压机的基本工作原理和控制方。